1、光刻机掩膜版的制作过程复杂而精密，其自身结构如同反射镜，但设计更为精细掩膜版基底选用热膨胀系数低的二氧化硅材料，掺杂有二氧化钛，以确保稳定性基底需极致光滑，无任何瑕疵，表面镀100层膜，每层由硅Si和钼Mo交替叠加，厚度控制在34nm，以最小化EUV光的损耗最外层为钌Ru保护。
2、光刻工艺是半导体MEMS制造的基本工艺之一，它主要包括三个连续的步骤掩膜版的制作和使用光刻胶的应用以及曝光过程首先，掩膜版是在透明的石英或玻璃基板上构建的，其材料通常为铬或氧化铁，图案是由计算机辅助设计CAD工具生成的，并通过电子束或激光转移技术来形成在MEMSIC的完整加工过程中。